林兰英：中国半导体材料科学的奠基人

一、早年经历与求学之路

       林兰英（1918年2月7日—2003年3月4日），出生于福建省莆田市的一个名门望族。她的祖上林润是明朝嘉靖年间的御史大夫，因扳倒当朝丞相严嵩父子而名震朝野。然而，尽管家族在当地颇有声望，但林兰英的求学之路却并不顺利。受当时“女子无才便是德”的封建观念影响，她的母亲起初并不支持她上学。为了争取受教育的机会，7岁的林兰英曾绝食近3天，最终感动了母亲，得以进入砺青小学》在砺青小学，林兰英的成绩始终名列前茅，校长彭介之甚至决定保送她进入砺青中学。1930年，她以优异的成绩进入砺青中学初中部，连续六个学期保持全年级第一名。1933年，林兰英进入莆田中学高中部，成为当时高一年级唯一的一名女生。后来，她因不满学校的学生运动，转学到莆田县唯一的教会女子中学——咸益中学。1936年，林兰英以出色的成绩考入福建协和大学（现福建师范大学）物理系。毕业后，她凭借优异的成绩留校任教，成为了一名助教。在协和大学任教期间，林兰英凭借自己的学习和研究能力获得了同学和老师的认可，并亲手编写了《光学实验课程》的教科书。

二、留学美国与科研起步

       1948年，林兰英赴美国宾夕法尼亚大学留学。当时，蓬勃兴起的固体物理正在悄然改变着世界，林兰英果断地选择改学固体物理专业。1951年，她获得宾夕法尼亚大学固体物理学硕士学位，之后继续攻读博士学位，师从米勒教授。1955年6月，林兰英凭借博士论文《离子晶体缺陷的研究》获得宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位，成为该校建校以来第一位获得博士学位的中国人，也是该校有史以来的第一位女博士。毕业后，林兰英被聘为美国索菲尼亚公司（Sylvania公司）的高级工程师，专注于半导体材料研究。在公司任职期间，她不仅成功指导公司造出了第一根硅单晶，还为公司申报了两项专利，公司三次提高她的年薪。然而，尽管在美国拥有良好的工作环境和优厚的待遇，林兰英始终心系祖国。

三、冲破阻碍回国

       1956年，林兰英以“母亲重病”为由，向印度驻美国大使馆提交回国申请。1957年1月29日，她冲破重重阻碍，带着半导体新材料回到中国。回国后，林兰英进入中国科学院物理研究所工作，历任研究员、副所长。

四、科研成就与贡献

       回国后，林兰英长期从事半导体材料科学研究工作，是中国半导体科学事业的开拓者之一。她先后负责研制成中国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为中国的微电子和光电子学的发展奠定了基础。1958年秋天，林兰英研发出中国第一根硅单晶。为了制造无位错硅单晶，她又投入研发硅单晶炉。1961年，由她主持设计加工的中国第一台开门式硅单晶炉制造成功。1962年春，依靠这台国产硅单晶炉，中国第一根无位错的硅单晶拉制成功，达到国际先进水平。林兰英还开创了中国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了令世人瞩目的成绩。她的工作极大地推进了中国半导体材料的研究高度，为中国太空事业做出了巨大贡献。

五、荣誉与评价

       林兰英是中国科学院院士（学部委员），她的科研成就得到了广泛认可。她先后四次获得中国科学院科技进步奖一等奖，两次获国家科技进步二、三等奖。她被誉为“中国半导体材料之母”，是中国现代女性科学家的代表人物。她的工作不仅推动了中国半导体材料科学的发展，还为中国培养了一批优秀的科研人才。

六、晚年与逝世

       2003年3月4日，林兰英在北京因病逝世，享年85岁。她的骨灰被运至福建莆田的林润故居内埋葬，并建立了林兰英陵园。林兰英的一生，是为科学事业不懈奋斗的一生，她为中国半导体材料科学的发展做出了不可磨灭的贡献。